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IXSN 80N60BD1
90
Fig. 7. Transconductance
14
Fig. 8. Dependence of Turn-off
Energy Loss on R G
80
70
60
T J = -40oC
25oC
125oC
12
10
T J = 125oC
V GE = 15V
V CE = 480V
I C = 160A
50
40
8
6
30
20
10
0
4
2
0
I C = 80A
I C = 40A
0
40
80
120
160
200
240
280
320
2
4
6
8
10
12
14
16
I C - Amperes
Fig. 9. Dependence of Turn-Off
R G - Ohms
Fig. 10. Dependence of Turn-off
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Energy Loss on I C
R G = 2.7 ?
R G = 10 ? - - - -
V GE = 15V
V CE = 480V
T J = 125oC
T J = 25oC
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Energy Loss on Tem perature
R G = 2.7 ?
R G = 10 ? - - - -
V GE = 15V I C = 160A
V CE = 480V
I C = 80A
I C = 40A
40
60
80 100
I C - Amperes
120
140
160
25
35
45
55 65 75 85 95
T J - Degrees Centigrade
105 115 125
325
Fig. 11. Dependence of Turn-off
Sw itching Tim e on R G
275
Fig. 12. Dependence of Turn-off
Sw itching Tim e on I C
300
275
250
225
I C = 80A
I C = 160A
250
225
200
t d(off)
t fi - - - - - -
R G = 2.7 ?
V GE = 15V
V CE = 480V
T J = 125oC
200
175
I C = 40A
t d(off)
175
150
150
125
100
75
t fi - - - - - -
T J = 125oC
V GE = 15V
V CE = 480V
125
100
75
T J = 25oC
0
2
4
6
8 10
R G - Ohms
12
14
16
18
40
60
80 100
I C - Amperes
120
140
160
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
6,404,065B1
6,162,665
6,534,343 6,583,505
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
6,306,728B1
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
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IXSP24N60B 功能描述:IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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